顯然這個解決方法包括兩個橋即主橋AMNB和輔橋AMPB或ANPB同時平衡。通過檢測器從一個橋轉換到另一個橋逐次地逼近平衡而最終達到二者平衡。
壓邊影響的作用，但是增加了屏蔽與接到測量臂接線端M和N的各根導線之間電容。
在高壓電橋中電容CN通常是固定的，比較容易采用替代法。由於不期望電容的影響隨頻率的增加而增加。
也因為在低頻下正是高電壓技術特別對電介質損耗關注的問題。電容臂和測量臂兩者的阻抗大小在數量級上相差很多。
電源電壓直接加到一個繞組上，另一個繞組則起變壓器次級繞組的作用。將電源加到初級繞組上。
漏(lou)導(dao)損(sun)耗(hao)又(you)稱(cheng)電(dian)導(dao)損(sun)耗(hao)。實(shi)際(ji)使(shi)用(yong)中(zhong)的(de)絕(jue)緣(yuan)材(cai)料(liao)都(dou)不(bu)是(shi)完(wan)善(shan)的(de)理(li)想(xiang)的(de)電(dian)介(jie)質(zhi)
，在(zai)外(wai)電(dian)場(chang)的(de)作(zuo)用(yong)下(xia)，總(zong)有(you)一(yi)些(xie)帶(dai)電(dian)粒(li)子(zi)會(hui)發(fa)生(sheng)移(yi)動(dong)而(er)引(yin)起(qi)微(wei)弱(ruo)的(de)電(dian)流(liu)，這(zhe)種(zhong)微(wei)小(xiao)電(dian)流(liu)稱(cheng)為(wei)漏(lou)導(dao)電(dian)流(liu)，漏(lou)導(dao)電(dian)流(liu)流(liu)經(jing)介(jie)質(zhi)時(shi)使(shi)介(jie)質(zhi)發(fa)熱(re)而(er)損(sun)耗(hao)了(le)電(dian)能(neng)。這(zhe)種(zhong)因(yin)電(dian)導(dao)而(er)引(yin)起(qi)的(de)介(jie)質(zhi)損(sun)耗(hao)稱(cheng)為(wei)“漏導損耗”。由you於yu實shi際ji的de電dian介jie質zhi總zong存cun在zai一yi些xie缺que陷xian

，或huo多duo或huo少shao存cun在zai一yi些xie帶dai電dian粒li子zi或huo空kong位wei，因yin此ci介jie質zhi不bu論lun在zai直zhi流liu電dian場chang或huo交jiao變bian電dian場chang作zuo用yong下xia都dou會hui發fa生sheng漏lou導dao損sun耗hao。
在理想電橋中比例U1/U2是一個係數K，這樣，實際上ZM的輻角直接給出。變壓器電橋比西林電橋有很大的優點。
一些介質在電場極化時也會產生損耗，這種損耗一般稱極化損耗。位移極化從建立極化到其穩定所需時間很短（約為10-16～10-12s）

，這在無線電頻率（5×1012Hz 以下）範圍均可認為是極短的
，因此基本上不消耗能量。其他緩慢極化（例如鬆弛極化
、空間電荷極化等）在外電場作用下，需經過較長時間（10-10s或更長）才達到穩定狀態，因此會引起能量的損耗。
在結構緊密的陶瓷中
，介質損耗主要來源於玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能，往往在配方中引人此易熔物質（如黏土），形成玻璃相，這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大
，介質損耗也增大。因麵一般高頻瓷，如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數電陶瓷的離子鬆弛極化損耗較大，主要的原因是：主晶相結構鬆散
，生成了缺固濟體、多品型轉變等。 [3]
當電容CX和CN不平衡時尤為顯著
，帶瓦格納（Wagner）接地電路的西林電橋
，圖A。2示出了使電橋測量臂接線端與屏蔽電位相等的方法。
結果絕大部分電壓都施加在電容CX和CN上，使電壓分配不平衡，上麵給出的電橋平衡條件隻是當低壓元件對高壓元件屏蔽時才成立。
這種方法是通過使用外接輔助橋臂ZA、ZB（瓦格納接地電路）
，並使這兩個輔助橋臂的中間點P接到屏蔽並接地。
比西林電橋使用的頻率範圍寬，由於頻率範圍的不同，橋的具體結構也不相同。低頻電橋，通常是一個高壓電橋。
這在電子設備中是常有的，然而這樣的檢測器隻要接地輸入端總是連接於P點，就能與裝有瓦格納接地線路的電橋一起使用。
高分子材料的損耗
高分子聚合物電介質按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地，偶極矩在0~0.5D（德拜）範圍內的是非極性高聚物；偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數和介質損耗，其介電常數約為2，介質損耗小於10-4；極性高聚物則具有較高的介電常數和介質損耗，並且極性愈大，這兩個值愈高。
陶瓷材料的損耗
複電抗ZX和ZM之間的比值等於電壓矢量U1和U2間的比值。如果電壓矢量的比值是已知的，便可從已知的ZM推導出ZX。
隻有當電源的兩端可以對地絕緣時才使用上述特殊的解決方法，如果不可能對地絕緣
，則必須使用更複雜裝置雙屏蔽電橋。

若(ruo)外(wai)加(jia)頻(pin)率(lv)較(jiao)低(di)
，介(jie)質(zhi)中(zhong)所(suo)有(you)的(de)極(ji)化(hua)都(dou)能(neng)完(wan)全(quan)跟(gen)上(shang)外(wai)電(dian)場(chang)變(bian)化(hua)，則(ze)不(bu)產(chan)生(sheng)極(ji)化(hua)損(sun)耗(hao)。若(ruo)外(wai)加(jia)頻(pin)率(lv)較(jiao)高(gao)時(shi)
，介(jie)質(zhi)中(zhong)的(de)極(ji)化(hua)跟(gen)不(bu)上(shang)外(wai)電(dian)場(chang)變(bian)化(hua)
，於(yu)是(shi)產(chan)生(sheng)極(ji)化(hua)損(sun)耗(hao)。 [2]
變壓器電橋電感比例臂電橋概述，這種電橋的原理比西林電橋簡單

，其結構原理見圖A.3.當電橋平衡時。
1）漏導損耗
2）極化損耗
用這種方法精度可以提高一個數量級，這時，實際上該精度隻決定於電橋元件的精密度。必須指出。
更精密，電壓是U1高壓，U2是中壓，這種電橋的技術與變壓器的技術有關。可采用兩類電源；
同時屏蔽必須接地，以保證平衡穩定。屏蔽與使用被保護的電容CX和CN是一致的
，這個保護對於CN來說是必不可少的。
複雜玻璃中的介質損耗主要包括三個部分：電導耗、鬆弛損耗和結構損耗。哪一種損耗占優勢
，取決於外界因素溫度和電場頻率。高頻和高溫下
，電導損耗占優勢：在高頻下，主要的是由弱聯係離子在有限範圍內移動造成的鬆弛損耗：在(zai)高(gao)頻(pin)和(he)低(di)溫(wen)下(xia)，主(zhu)要(yao)是(shi)結(jie)構(gou)損(sun)耗(hao)
，其(qi)損(sun)耗(hao)機(ji)理(li)還(hai)不(bu)清(qing)楚(chu)，可(ke)能(neng)與(yu)結(jie)構(gou)的(de)緊(jin)密(mi)程(cheng)度(du)有(you)關(guan)。般(ban)來(lai)說(shuo)，簡(jian)單(dan)玻(bo)璃(li)的(de)損(sun)耗(hao)是(shi)很(hen)小(xiao)的(de)，這(zhe)是(shi)因(yin)為(wei)簡(jian)單(dan)玻(bo)璃(li)中(zhong)的(de)“分子”jiejinguizedepailie，jiegoujinmi，meiyouruolianxidesongchilizi。zaichunbolizhongjiarenjianjinshuhuawuhou。jiezhisunhaodadazengjia，bingqiesuizhejiarenliangdezengdaanzhishuguilvzengda。zheshiyinweijianxingyanghuawujinrenbolidedianzhenjiegouhou，shilizisuozaichudianzhenshoudaopohuai，jiegoubiandesongsan，lizihuodongxingzengda
，zaochengdiandaosunhaohesongchisunhaozengjia。
調節輔助橋臂實際為ZB以使在ZA和ZB上的電壓分別與電橋的電容臂和測量臂兩端的電壓相等。
高gao聚ju物wu的de凝ning聚ju態tai結jie構gou及ji力li學xue狀zhuang態tai對dui介jie電dian性xing景jing響xiang也ye很hen大da。結jie品pin能neng抑yi製zhi鏈lian段duan上shang偶ou極ji矩ju的de取qu向xiang極ji化hua，因yin此ci高gao聚ju物wu的de介jie質zhi損sun耗hao隨sui結jie晶jing度du升sheng高gao而er下xia降jiang。
因此仍可有效使用屏蔽和瓦格納接地線路，關於檢測器的說明，當西林電橋的B點接地時，必須避免檢測器的不對稱輸入。
高頻西林電橋，這種電橋通常在中等的電壓下工作，是比較靈活方便的一種電橋；通常電容CN是可變的。
此電容承受跨接測量臂兩端的電壓，這樣會引入一個通常使的測量精度限於0.1%數量級的誤差。
各ge種zhong不bu同tong形xing式shi的de損sun耗hao是shi綜zong合he起qi作zuo用yong的de。由you於yu介jie質zhi損sun耗hao的de原yuan因yin是shi多duo方fang麵mian的de，所suo以yi介jie質zhi損sun耗hao的de形xing式shi也ye是shi多duo種zhong多duo樣yang的de。介jie電dian損sun耗hao主zhu要yao有you以yi下xia形xing式shi：
在介質發生緩慢極化時（鬆弛極化
、空間電荷極化等），帶電粒子在電場力的影響下因克服熱運動而引起的能量損耗。
gaojuwudejiaoliantongchangnengzuaijixingjituandequxiang
，yincireguxinggaojuwudejiedianchangshuhejiezhisunhaojunsuijiaoliandudetigaoerxiajiang。fenquanshuzhijiushidianxingdelizi
，suiranzhezhonggaojuwudejixinghenqiang，danzhiyaoguhuabijiaowanquan，tadejiezhisunhaojiubugao。xiangfan
，zhihuashifenzilianjianzuoyonglijianruo，fenzilianhuodongnenglizengqiang，jiedianchangshuhejiezhisunhaojunzengda。
它允許將屏蔽和保護電極直接接地且不需要附加的輔助橋臂。這種電橋可在從工頻倒數十MHz的頻率範圍內使用。
由於選擇不同的接地方法，實際上形成了兩類電橋。帶屏蔽的簡單西林電橋，橋的B點在測量臂邊的電源接線端子與屏蔽相連並接地。
陶瓷材料的介質損耗主要來源於電導損耗、鬆弛質點的極化損耗和結構損耗。此外
，表麵氣孔吸附水分、油汙及灰塵等造成的表麵電導也會引起較大的損耗。